専門的な磁場測定ソリューションを提供 | ||||||
強磁場測定器(0 - 20T) | ||||||
モデル |
げんり |
を選択してオプションを設定します。 |
じくすう |
DCせいど |
さいだいレンジ |
最高解像度 |
X113 |
ホール |
ホール素子 |
1 |
<> |
15T |
TC: 30ppm/K |
G80 |
ホール |
ハンドヘルド |
1 |
2% |
2T |
10μT |
G81 |
ホール |
ハンドヘルド |
1 |
0.8% |
10T |
1μT |
G82 |
ホール |
ハンドヘルド-こうしゅうはすう |
1 |
0.8% |
10T |
1μT |
G83 |
ホール |
ハンドヘルド |
3 |
0.8% |
10T |
1μT |
G92 |
ホール |
ハンドヘルド |
1 |
1% |
10T |
10μT |
G93 |
ホール |
ハンドヘルド |
3 |
1%, 0.5% |
20T |
1μT |
G201 |
ホール |
デスクトップ |
1 |
0.2% |
10T |
1μT |
G203 |
ホール/じきていこう |
デスクトップ |
3 |
0.2% |
10T |
10nT |
G401 |
ホール |
デスクトップ |
1 |
0.04% |
10T |
1μT |
G403 |
ホール |
デスクトップ |
3 |
0.04% |
10T |
1μT |
GSP301A |
ホール |
アナログトランスミッタ |
1 |
1%, 0.2% |
10T |
Output: ±3V |
GSP301D |
ホール |
ディジタルトランスミッタ |
1 |
1%, 0.2% |
10T |
1μT |
GSP303D |
ホール |
ディジタルトランスミッタ |
3 |
1%, 0.2% |
20T |
1μT |
GSP303D-S |
ホール |
ディジタルトランスミッタ |
3 |
0.5%, 0.1% |
3T |
1μT |
磁場試験システム | ||||||
GAS3000 |
アレイ磁場検出システム、最大同期検出128つの位置の磁場 |
|||||
GMS980 |
高精度ガウス計定格システム (高精度テスラ計検定装置) |
|||||
弱磁場測定器(0- 2mT) | ||||||
弱磁場ガウス計 | ||||||
モデル |
げんり |
を選択してオプションを設定します。 |
じくすう |
DCせいど |
さいだいレンジ |
最高解像度 |
GMR61 |
じきていこう |
ハンドヘルド |
1 |
0.8% |
600μT |
10nT |
GMR63 |
じきていこう |
ハンドヘルド |
3 |
0.8% |
600μT |
10nT |
GF601 |
磁束ゲート |
ハンドヘルド |
1 |
0.5% |
1mT |
0.1nT |
GF603 |
磁束ゲート |
ハンドヘルド |
3 |
0.25% |
1mT |
0.1nT |
GF633 |
磁束ゲート |
デスクトップ |
3 |
0.1% |
100μT |
0.01nT |
GFP703 |
磁束ゲート |
インテリジェントトランスミッタ |
3 |
0.5% |
1mT |
0.1nT |
GFP703S |
磁束ゲート |
スペクトルアナライザ |
3 |
0.5% |
1mT |
0.01nT |
GFP803 |
磁束ゲート |
インテリジェントトランスミッタ |
3 |
0.2% |
1mT |
0.1nT |
こうりゅうじかいそくてい(DC- 1MHz) | ||||||
モデル |
げんり |
を選択してオプションを設定します。 |
じくすう |
ACせいど |
さいだいレンジ |
しゅうはすうおうとう |
AMS-2K |
こうりゅうコイル |
アナログセンサ |
1 |
1% |
3mT |
30Hz- 2kHz |
AMS-1M |
こうりゅうコイル |
アナログセンサ |
1 |
1% |
3mT |
2kHz- 1MHz |
G1000 |
じきていこう |
インテリジェントトランスミッタ |
3 |
DC- 1% AC- 2% |
400μT/ Axis |
DC- 1MHz |
GA1000 |
じきていこう |
ハンドヘルド |
3 |
2% |
400μT/ Axis |
30Hz- 1MHz |
GSP301HFA |
じきていこう |
アナログトランスミッタ |
1 |
1% |
150μT |
20Hz-1.2MHz |
GSP303HFA |
じきていこう |
アナログトランスミッタ |
1 |
1% |
150μT |
20Hz-1.2MHz |
磁束ゲートセンサ | ||||||
モデル |
げんり |
を選択してオプションを設定します。 |
じくすう |
ノイズレベル |
さいだいレンジ |
しゅつりょく |
F901 |
磁束ゲート |
エコノミークラス |
3 |
10 to 20pT |
1000μT |
±10V,シングルエンド |
F902 |
磁束ゲート |
ていざつおん |
3 |
<> |
100μT |
±10V,シングルエンド |
F903 |
磁束ゲート |
低消費電力 |
3 |
10 to 20pT |
200μT |
±3V,差分 |
F904 |
磁束ゲート |
低消費電力|ていざつおん |
3 |
<> |
100μT |
±3V,差分 |
F905 |
磁束ゲート |
高性能|ていざつおん |
3 |
<> |
100μT |
±10V,シングルエンド |
F906 |
磁束ゲート |
低消費電力 |
3 |
10 to 20pT |
100μT |
±3V,差分 |
F23 |
磁束ゲート |
セパレータ|マスレンジ |
3 |
<> |
1500μT |
±10V,シングルエンド |
F53 |
磁束ゲート |
こうおんがた |
3 |
≤300pT@175℃ |
100μT |
±5V,差分 |
磁束ゲートセンサデータ収集手段 | ||||||
FDU301 |
接続可能1個の3軸磁束ゲートセンサ |
|||||
ASA1000 |
接続可能2-126個の一軸磁束ゲートセンサ または2-42個の3軸磁束ゲートセンサ |
|||||
AFS |
アレイ磁束ゲートセンサ検出システム、複数の磁束ゲート磁場トランスミッタを接続可能 |
|||||
GMR-16 |
マイクロ弱磁場センサアレイ、同期収集可能2-16個のマイクロ弱磁場センサのデータ |
|||||
GR100 |
ディジタル三軸磁束ゲート勾配計 |
|||||
メモ: 1、磁場単位換算:1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG; 1nT= 10μG 2、上表の左側をクリックモデル、該当モデルの製品資料を調べることができます |
Features:
l Instrumentation Quality
l Excellent linearity error : 0.05%
l TC of sensitivity: 30ppm/K
l Max Range : 15T
Typical Applications
l Current and power measurement
l Magnetic field measurement
l Control of brushless DC motors
l Rotation and position sensing
l Measurement of diaphragm
The third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) Hall sensor X113, built into a SMT package (SOT-143),has the characteristics of good temperature stability, high linearity and low noise, which is superior to the second-generation semiconductor gallium arsenide (GaAs) sensor technology.
Hall sensor X113 is outstanding for its excellent linearity error 0.05% and very low temperature coefficients 30ppm/K. While the sensor is operated with constant current, the outputhallvoltage is directly proportional to a magnetic field acting perpendicular to the surface of the sensor.
Maximum Ratings
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Operating temperature |
TA |
–40 ¼ +100 |
°C |
Storage temperature |
Tstg |
–60 ¼ + 130 |
°C |
Supply current |
I1 |
30 |
mA |
Thermal conductivity, soldered in air |
GthCGthA |
³ 2.2 ³ 1.5 |
mW/K mW/K |
Characteristics (TA= 25℃)
Parameter |
Condition |
MIN |
TYP |
MAX |
Unit |
Nominal supply current |
I1N |
20 |
30 |
mA |
|
Open-circuithall voltage I1 =I1N,B= 0.1 T |
V20 |
7.0 |
9.0 |
mV |
|
Ohmic offset voltage I1 =I1N,B= 0 T |
VR0 |
0.1 |
0.3 |
mV |
|
Active area (in the sensor center) |
0.07 |
mm2 |
|||
Linearity of Hall voltage B= 0.1 ¼ 2.0 T |
FL |
0.05 |
% |
||
Input resistance B= 0 T |
R10 |
60 |
75 |
W |
|
Output resistance B= 0 T |
R20 |
60 |
75 |
W |
|
Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 =I1N, B= 0.5T |
TCV20 |
-30 |
ppm/K |
||
Temperature coefficient of the internal resistance B= 0 T |
TCR10, R20 |
0.08 |
%/K |
||
Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 =I1N, B= 0 T |
TCVR 0 |
1 |
4 |
μT/K |
|
Noisefigure |
F |
10 |
dB |
||
Range |
10 |
15 |
Tesla |
※※※クリックして他の磁気測定装置を表示 ※※※ |