2130-2145

ゲイン

45 dB±1 dB（@温度範囲内）

しゅつりょくでんりょく

27/30/33/37/39/40±1dBm

ALC範囲

20 dB（入力電力は20 dB増加し、出力電力変化は±1 dBの範囲内に維持）

ATT範囲

30 dB（精度0～20±1 dB、20～30±1.5 dB、ステップ1 dB）

ていざいは

≤1.3:1

インデックス

ディスクリートテンプレートを満たす

たいないはどう

≤1.5

スプリアス放出

9kHz～1GHz: ≤-40dBm, 1GHz～12.75GHz: ≤-36dBm

電力供給

＋27 Vセンタリングキャパシタンス入、地表プレート付き、電流≦3.5 A

動作温度

-25℃～+55℃

つぎて

SMA-KF

I/Oポート
（DB-15ピンホールタイプ）

P 1～5：対応するアンプ1、2、4、8、16 dB減衰、ハイレベル有効
P 7：パワーイネーブルメント（ハイオフ）
P 8：アンプ定在波電圧出力
P 9：電力検出電圧
P 10：電源温度電圧出力（50 mV/℃）
P 11～15：低ノイズ放電ATT 1～5

動作周波数帯

1945-1955MHz

ゲイン

45 dB±1 dB（@温度範囲内）

しゅつりょくでんりょく

Po＝-5±1dB

DGC範囲

30 dB（精度0～20±1 dB、20～30±1.5 dB、ステップ1 dB）

インデックス

ディスクリートテンプレートを満たす

たいないはどう

≤1.5

ていざいは

≤1.3:1

ざつおんけいすう

≤3dB

スプリアス放出

9kHz～1GHz: ≤-90dBm, 1GHz～12.75GHz: ≤-85dBm

つぎて

SMA-KF

電力供給

＋12 Vセンタリングキャパシタンス入、地表プレート付き、電流≤800 mA

動作温度

-25℃～+55℃

構造パターン

161*100*30