PI-MAX4®時間分解イメージングと分光法は、拡張CCD(ICCD)または拡張EMICCD(emICCD)システムにより改善された。プラズマ診断、燃焼、量子計算などに広く応用されており、PI−MAX 4の性能と柔軟性他のICCDに匹敵するものはありません。
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<500 psゲート制御
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1MHzゲート繰返し速度
毎秒10000スペクトル、超高感度
n製品仕様パラメータ
CCD |
PI-MAX 4:1024×256 |
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CCDチップ |
e2v CCD 30-11,かがくレベル、前照式 |
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分弁別するレート |
1024 × 253 |
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ピクセルサイズ |
26μm x 26μm |
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チップサイズ |
18mm x6.6mm(18 mmエンハンサー使用) 25mm x6.6mm(25 mmアダプタ使用) |
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リードノイズ 500-KHz 1-MHz 2-MHz |
標準 14e-rms 20e-rms 35e-rms |
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フルウェル電荷 |
450ke- |
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あんでんりゅう@-25°C |
4e-/p/s |
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れいとうおんど@周囲温度20°C くうきれいとう えきたいれいとう |
-20°C(ほしょうち) -30°C(ほしょうち) |
-25°C -35°C |
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すいちょくてんいそくど |
10μsec/row(ソフトウェアで調整可能) |
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ぞうぞうふくき |
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選択範囲 |
18mm-Gen II, Gen IIIfilmless |
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けつごうモード |
1:1 光ファイバをCCDに結合 |
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イメージエンハンサークラスタイプ |
Gen II |
Gen IIIfilmless |
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UV |
SB |
RB |
HBf |
HQf |
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レスポンス波長 |
応答曲線を参照 |
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最小ドア幅 サブナノ秒ゲート幅 すばやいドア幅 スロースピードドア幅 |
<500ps (for Fast Gate tubes only) ~2ns (Typ), 3ns (Gua) For SB only:<200ns,<8ns(w/MCP gating) |
<500ps (for Fast Gate tubes only) ~2ns (Typ), 3ns (Gua) -NA- |
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くりかえししゅうはすう |
1MHz; 100kHZ with Picosecond gating;8kHz with MCP gating |
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解像度 |
40-64 lp/mm |
57-64 lp/mm |
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EBI(Phoe-/p/s) 室温 カソードれいとう |
0.05 – 0.2 0.005 – 0.02 |
0.02 0.002 |