1030 nm波長におけるCARBIDEフェムト秒レーザの出力電力>80 W。レーザー発光ASEバックグラウンド<10-9のじゅんパルス最近更新された最大エネルギー仕様は、環境にかかわらず、ビーム品質に影響を与えることはありません、工業レベルの信頼性とビームの安定性。60 kHzから2 MHzの範囲内の連続的な調整可能な繰返し速度は、出力パルスのタイミングと応答時間が10マイクロ秒未満のフルレンジエネルギー制御のために組み込まれたPulse Pickerと結合され、送信形状を任意に調整することができる。パルス持続時間は290 fs〜10 psの範囲で調整することができる。<0.5%RMSの優れた電源安定性は標準構成です。レーザー出力をパルスエンベロープを修正する能力を持ちながら、数ピコ秒レベルとナノスケールの分離パルスに分割することができる。ウェーブジェネレータオプションを使用すると、異なる波長でフェムト秒を使用できます。これらのパラメータはソフトウェアで完全に調整できます。
【製品コアワード】
高出力超高速フェムト秒可変同調レーザ、フェムト秒レーザマイクロナノ加工システム、フェムト秒/ナノ秒/ピコ秒レーザパルス測定、過渡吸収、3 Dプリントフェムト秒レーザ、中赤外/近赤外/可視/テラヘルツフェムト秒レーザ
【関連機器】
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仕様パラメータ
製品名 |
CB3-40W |
CB3-80W |
CB5 |
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れいきゃくほうしき |
すいれい |
ふうれい1) |
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最高平均電力 |
40 W以上 |
80 W以上 |
6 W以上 |
5 W未満 |
パルス持続時間(ガウスパルス形状を想定) |
<290 fs |
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パルス持続時間調整範囲 |
290 fs – 10 ps |
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最高パルスエネルギー |
>200µJまたは400µJ |
>800マイクロコークス |
> 100 µJ |
83マイクロコークス |
きほんはんぷくりつ2) |
200または100~2000 kHz |
100 – 2000 kHz |
60 – 1000 kHz |
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パルスせんたく |
単回、任意の基本反復率除算 |
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ちゅうしんはちょう3) |
1029±5ナノメートル |
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出力パルス間安定性4) |
24時間以内に<0.5%rms |
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出力電力安定性 |
100時間以内の平均二乗根<0.5% |
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ビーム品質 |
TEM00; M2<1.2 |
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へんこう |
垂直 |
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パルスセレクタ |
FEC5) |
含める |
拡張コントラストAOMを含む6) |
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パルスセレクタリーク |
<0.5% |
<2% |
<0.1% |
1.要求に応じて水冷バージョンを提供することができる。
2.パルスセレクタを制御することにより、繰返し速度を低減することができる。
3.2次(515 nm)および3次(343 nm)の高調波出力も提供する。
4.安定した環境条件下で。
5.迅速なエネルギー制御を提供する、外部シミュレーション制御入力が使用可能です。
6.出力パルスシーケンスの高速振幅制御を提供する。
オプションの拡張
製品名 |
CB3-40W |
CB3-80W |
CB5 |
ハーモニックジェネレータ |
統合、オプション |
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しゅつりょくはちょう |
515 nm,343 nm,257 nm |
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ひかりパラメトリックぞうふくき |
統合、オプション |
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トーンレンジ |
640~4500ナノメートル |
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連写モード |
バーストバースト機能を持つ調整可能なGHzとMHzバースト、オプション |
適用されない |
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GHzモード(P) |
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パルス内パルス分離1) |
約440±40 ps |
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さいだいばんごうパルスすう2) |
1。。10 |
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MHzモード(N) |
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パルス内パルス分離 |
〜16ナノ秒 |
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さいだいばんごうパルスすう |
1。。10 |
1.必要に応じて間隔をカスタマイズします。
2.バースト中の最大パルス数はレーザ繰返し速度に依存する。パルス数は必要に応じてカスタマイズできます。
環境と公共事業の要件
製品名 |
CB3-40W |
CB3-80W |
CB5 |
動作温度 |
15 – 30°C(59 – 86°F) |
17 – 27°C(62 – 80°F) |
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相対湿度 |
80%未満(結露しないこと) |
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でんどう |
110 – 220 VAC,50 – 60 Hz |
すいれいがた
ちょうきしゅつりょくでんりょくあんていせい CARBIDEスペクトル(水冷型)
CARBIDEパルス幅(水冷タイプ)CARBIDE典型スポット(水冷タイプ)
くうれいがた
CARBIDE典型出力電力vsポンプ電流(周波数逓倍器付き)劣悪な環境下でのCARBIDEの出力
劣悪な環境におけるCARBIDEのビーム位置CARBIDEの劣悪な環境におけるビーム指向
劣悪な環境温度湿度
CARBIDE典型的な基本周波数スポット60 kHz、5 WCARBIDE典型的な二倍化スポット100 kHz、3.4 W
CARBIDE典型的な三倍周波スポット100 kHz、2.2 WCARBIDE典型的な4倍化スポット100 kHz、100 mW
製品サイズ
製品名 |
CB3-40W |
CB3-80W |
CB5 |
レーザヘッド |
632(縦)×305(幅)×173(高さ)mm |
631(縦)×324(幅)×167(高さ)mm |
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電源装置 |
280(縦)×144(幅)×49(高さ)mm |
220(縦)×95(幅)×45(高さ)mm |
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れいきゃくき |
590(縦)×484(幅)×267(高さ)mm |
必要ありません |
調整可能GHzのものとMHzのものBiBurst機能
CARBIDE-CB 3にはGHzとMHzバースト、BiBurstと呼ばれるオプションのバースト機能があります。バーストグループ間の距離をナノ秒バーストと呼び、N(MHz-Burst)。このグループの中性子パルス間の距離をピコ秒バースト、P(GHzバースト)と呼ぶ。
シングルパルスモードでは、1回に1つのパルスが一定の周波数で送信されます。バーストモードでは、出力はいくつかのピコ秒バーストパケットからなり、各パケット間の間隔が等しい時間帯である。各パケットは、複数のサブパルスを含むことができ、各サブパルス間も等しい時間間隔で分離される。
柔軟なBiBurst機能を持つ高パルスエネルギーフェムト秒レーザは、消費電子、集積フォトチップ製造、ステント切断、表面機能化、将来のディスプレイ製造、量子計算などのハイテク製造業界に新たな生産能力をもたらした。
BiBurst材料の製造分野は以下を含む:
脆性材料の穴あけと切断
深彫り
選択的切除
透明材料の体積修正
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表面機能は構造化されている。